Ce transistor vertical sur lequel misent IBM et Samsung pour repousser les limites de la loi de Moore

Origine de l'article : PRESSE NUMERIQUE .

Cet article est paru en premier sur https://www.usinenouvelle.com/club-inno/micro-electronique/

Transistor planaire, FinFET, gate-all-around (GAA) à base de nano-feuilles… Depuis des décennies, les transistors évoluent pour en faire…

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